Накопитель SSD

Форм-фактор SSD:2.5 "
Объем SSD:960 Гб
Интерфейс подключения:SATA

Общие характеристики Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 1 Тб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Максимальная скорость записи 3300 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч …

Объем накопителя: 2 ТБ;

Скорости: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3300 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 1200 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;

Особенности: поддержка NVMe;

Общие характеристики Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 500 Гб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Максимальная скорость записи 3200 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч …

Форм-фактор
M.2 2280
Интерфейс
PCI-E x4
Максимальная скорость чтения
3100 МБ/с
Максимальная скорость записи
2600 МБ/с
Тип памяти NAND
V-NAND
Ресурс TBW
300 ТБ

Скорости:
чтения до 7000МБ/с, записи до 5000МБ/с;
TBW:
600 ТБ;
Интерфейс:
PCI-E 4.0 x4;
Тип памяти:
V-NAND 3-bit MLC;
Форм-фактор:
M.2 2280; толщина 2.38мм; разъем M.2;
Особенности:
поддержка NVMe;

форм-фактор: 2280, M
емкость: 500 ГБ
скорость чтения/записи: 6900 МБ/с / 5000 МБ/с
интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4
объем буфера: 512 МБ
тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
контроллер: Samsung Elpis
потребляемая мощность: 7 Вт
время наработки на отказ: 1500000 ч
игровой: да
рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера
ШхДхВ: 22х80х2 мм, вес: 9 г

Объем накопителя: 2 ТБ;

Скорости: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5000 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 1200 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;

Особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:3D NAND TLC
Объем SSD:1024 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Объем буфера:1024 мб

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:3D V-NAND MLC
Объем SSD:2000 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Объем буфера:2048 мб

Объем накопителя: 1 ТБ;

Скорости: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E 4.0 x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 600 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.3 мм;

Особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:V-NAND TLC
Объем SSD:1000 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Скорость чтения до:7450 Мб/с

объем накопителя: 2048 ГБ;
скорости: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с;
интерфейс: PCI-E 4.0 x4;
тип памяти: 3D TLC;
TBW: 1200 ТБ;
форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.3 мм; разъем M.2;
особенности: поддержка NVMe;

SAS Fujitsu (HGST) Ultrastar SS200 3.84Tb 1800/1000Мб/сек 12G MLC 1DWPD 250K/37K IOPS 7008TBW MBTF 2.5M 520Bps SAS 2,5" For Eternus DX100S5 DX100S4 DX100S3 DX200S5 DX200S4 DX200S3 DX500S5 DX500S4 DX500S3 DX600S5 DX600S4 DX600S3 DX60S4 DX60S3 AF650
Форм-фактор
2.5"
Емкость
3.84 Тб
Интерфейс
SAS
Тип флэш-памяти
нет данных

Тип внутренний Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Phison E19T Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + …

Тип внутренний Объем 500 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 SATA 3 Тип памяти 3D TLC NAND / 64-слойная / Внешняя скорость записи 530 МБ/с…

Форм-фактор SSD:2.5"
Разъём подключения:SATA
Тип памяти:3D NAND TLC
Объем SSD:480 Гб
Интерфейс:SATA
Скорость чтения до:520 Мб/с

Объем накопителя: 240 ГБ;
Скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 280 МБ/с;
Интерфейс: SATA III;
Тип памяти: 3D TLC;
TBW: 921.6 ТБ;
Форм-фактор: 2.5"; толщина 7 мм;

Назначение: внутренний
Тип: SSD
Форм-фактор: M.2
Объём накопителя: 240 Гб
Интерфейс: SATA-III
Скорость чтения: 555 МБ/сек
Скорость записи: 275 МБ/сек
Тип флэш-памяти: TLC

Применение
для ноутбука и настольного компьютера
Тип накопителя
твердотельный (SSD)
Форм-фактор
M.2 2280
Характеристики накопителя
Объем SSD
240 Гб
Скорость записи
233 МБ/с
Скорость чтения
400 МБ/с
Интерфейс
Интерфейс
SATA 3
Внешняя скорость передачи данных
600 МБ/с