Samsung 1Tb 990 EVO, M.2 PCIe 4.0 x 4 / 5.0 x 2 NVMe TLC V-NAND MZ-V9E1T0BW

Под заказ (2-3 дня)

Артикул: 50056

Подключение
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Характеристики памяти накопителя
Ёмкость накопителя 1000 Гбайт
Тип памяти V-NAND
Кэш-память HMB
Скоростные характеристики
Скорость последовательного чтения 5000 Мбайт/c
Скорость последовательной записи 4200 Мбайт/c
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) 680000 IOPS
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) 800000 IOPS
Ресурс
Средняя наработка на отказ 1500000 ч
TBW твердотельного накопителя 600 Тбайт