Память

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 260-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22-42

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20-40

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22-42

Объём памяти: 64 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 20
Row Precharge Delay (tRP): 20
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-18-18

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:RGB

объем: 2х 8192 МБ;
частота: 3600МГц;
латентность: CL18;
тайминги: 18-22-22;
форм-фактор: DIMM, 288-pin;
особенности: комплект; оснащается радиатором;

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 17
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 43
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 18
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:4600 МГц
Пропускная способность:36800 Мб/с
Латентность:CL19
Тайминги:19-26-26

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:4600 МГц
Пропускная способность:36800 Мб/с
Латентность:CL19
Подсветка:нет

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 36800 Мб/с
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 26
Row Precharge Delay (tRP): 26
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти
DDR4
Форм фактор
DIMM
Количество контактов
288
Тактовая частота
4800 МГц
Пропускная способность
38400 Мб/с
Объем
2 модуля по 8Gb
Общий объём
16 Гб
Поддержка ECC
нет

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 42664 Мб/с
CAS Latency (CL): 20
RAS to CAS Delay (tRCD): 30
Row Precharge Delay (tRP): 30
Напряжение питания: 1.6 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 34100 Мб/с
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 26
Row Precharge Delay (tRP): 26
Напряжение питания: 1.4 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 32000 Мб/с
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 23
Row Precharge Delay (tRP): 23
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)