Память

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 21300 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Напряжение питания: 1.2 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 21300 Мб/с
CAS Latency (CL): 13
RAS to CAS Delay (tRCD): 15
Row Precharge Delay (tRP): 15
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:2666 МГц
Пропускная способность:21300 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:RGB

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 20
Row Precharge Delay (tRP): 20
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 17
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL17
Подсветка:нет

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 17
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 20
Row Precharge Delay (tRP): 20
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:2666 МГц
Пропускная способность:21300 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:нет

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 4
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 17
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Частота: 3200МГц;
Тип: DIMM, ECC, registered, dual rank,
Латентность: CL22;
Тайминги: 22-22-22;

Объём памяти: 64 Гб
Тип памяти: DDR4 DIMM
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 22
Поддержка ECC: да
Буферизованная (Registered): да

Назначение:для сервера
Тип поставки:один модуль 1x64Гб
Тип памяти:DDR4

Напряжение питания, В 1.2
Объем модуля памяти 64Гб
Объем, м3 0.001
Полное описание Server Memory Huawei(M429R64)RDIMM DDR4 64GB, 2933MT/s, 2Rank(4G*4bit), 1.2V, ECC для 1288 v5, 2288H v5, 2488 v5, 2488H v5, 5885H v5, E9000 nodes, G5500, X6000 nodes, X6800 nodes.Taishan 200 model 2280/5280(06200282)
Тип оперативной памяти DDR4
Форм-фактор модуля 288-pin DIMM
Частота работы оперативной памяти, МГц 2933
Вес, г 100

Назначение:для сервера
Тип поставки:один модуль 1x64Гб
Тип памяти:DDR4