Samsung

объем накопителя: 8192 ГБ;
скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: 3D;
TBW: 2880 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 6.8 мм;

объем накопителя: 960 ГБ;
скорости: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: 3D TLC;
TBW: 1366 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 7 мм; разъем SATA;

Общие характеристики Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 1 Тб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Максимальная скорость записи 3300 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч …

Общие характеристики Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 250 Гб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Максимальная скорость записи 2300 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч …

Объем накопителя: 2 ТБ;

Скорости: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3300 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 1200 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;

Особенности: поддержка NVMe;

Общие характеристики Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 500 Гб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E x4 Максимальная скорость чтения 3500 Мб/с Максимальная скорость записи 3200 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч …

объем накопителя: 250 ГБ;
скорости: чтения до 2900 МБ/с, записи до 1300 МБ/с;
интерфейс: PCI-E 3.0 x4;
тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;
TBW: 150 ТБ;
форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;
особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор
M.2 2280
Интерфейс
PCI-E x4
Максимальная скорость чтения
3100 МБ/с
Максимальная скорость записи
2600 МБ/с
Тип памяти NAND
V-NAND
Ресурс TBW
300 ТБ

Скорости:
чтения до 7000МБ/с, записи до 5000МБ/с;
TBW:
600 ТБ;
Интерфейс:
PCI-E 4.0 x4;
Тип памяти:
V-NAND 3-bit MLC;
Форм-фактор:
M.2 2280; толщина 2.38мм; разъем M.2;
Особенности:
поддержка NVMe;

форм-фактор: 2280, M
емкость: 500 ГБ
скорость чтения/записи: 6900 МБ/с / 5000 МБ/с
интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4
объем буфера: 512 МБ
тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
контроллер: Samsung Elpis
потребляемая мощность: 7 Вт
время наработки на отказ: 1500000 ч
игровой: да
рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера
ШхДхВ: 22х80х2 мм, вес: 9 г

Объем накопителя: 2 ТБ;

Скорости: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5000 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 1200 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;

Особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:3D NAND TLC
Объем SSD:1024 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Объем буфера:1024 мб

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:3D V-NAND MLC
Объем SSD:2000 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Объем буфера:2048 мб

Объем накопителя: 1 ТБ;

Скорости: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E 4.0 x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 600 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.3 мм;

Особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор SSD:M.2
Тип памяти:V-NAND TLC
Объем SSD:1000 Гб
Интерфейс подключения:M.2 (PCIe 4.0 x4)
Наличие буфера:да
Скорость чтения до:7450 Мб/с

объем накопителя: 2048 ГБ;
скорости: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с;
интерфейс: PCI-E 4.0 x4;
тип памяти: 3D TLC;
TBW: 1200 ТБ;
форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.3 мм; разъем M.2;
особенности: поддержка NVMe;

частота: 3200МГц;
тип: DIMM, ECC, registered, dual rank,
латентность: CL22;

Назначение:для сервера
Тип поставки:один модуль 1x128Гб
Тип памяти:DDR4

Форм-фактор RDIMM
Частота, МГц 3200
Количество модулей в комплекте, шт. 1
Модуль со сниженной нагрузкой (LDRDIMM) Нет
Небуферизированная память (UDIMM) Нет
Номинальное напряжение, В 1.2
Общий объем, Гбайт 16
Объем одного модуля, Гбайт 16

Форм-фактор: DIMM
Тип памяти: DDR4
Частота, мегагерц: 3200
Общий объем, гигабайт: 32
Количество модулей в комплекте: 1
Объем одного модуля, гигабайт: 32
CAS Latency (CL): 22