GS Nanotech GS027 512Gb PCIe 3 x4, M.2 2280, 3D TLC, до R3200/W1600 МБ/с, IOPS (random 4K) до R166K/W160K, 512МБ DRAM buffer, 1125 TBW, 1y wty МПТ (GS027E512M20С0)

Высокопроизводительный твердотельный накопитель GS027 объемом 512 ГБ предназначен для установки в современные настольные ПК и ноутбуки. Устройство выполнено в форм-факторе M.2 2280 и использует интерфейс PCIe 3.0 x4, обеспечивая высокую скорость передачи данных. Основные технические характеристики: • Тип памяти: 3D TLC NAND, обеспечивающая оптимальный баланс между производительностью и долговечностью. • Скорость работы: последовательное чтение до 3200 МБ/с и запись до 1600 МБ/с. • Буферная память: наличие DRAM-кэша объемом 512 МБ значительно повышает скорость обработки случайных операций ввода-вывода (IOPS до 166K/160K). • Надежность: ресурс перезаписи (TBW) составляет 1125 ТБ, что гарантирует длительный срок службы при интенсивных нагрузках. • Совместимость: накопитель оснащен ключом B & M и поддерживает стандартный интерфейс PCIe 3.0. Компактные габариты 22x80x4 мм позволяют легко интегрировать диск в системы с ограниченным пространством. Устройство отлично подходит для ускорения загрузки операционной системы, запуска требовательных приложений и работы с большими массивами данных.