Память

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 18
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Activate to Precharge Delay (tRAS): 42
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Цвет белый
Напряжение питания 1.35В
Тайминги 16-20-20
Множитель частоты шины 16
Радиатор да
Частота работы оперативной памяти 3200МГц
Количество 2
Объем модуля памяти 16Гб
Общий объём памяти 32Гб
Тип оперативной памяти DDR4
Производительность Gaming
Серия XPG Gammix D45

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:нет

Объём памяти: 32 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 18
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.4 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22

объем: 2х 16384 МБ;
частота: 3600МГц;
латентность: CL18;
тайминги: 18-20-20;
форм-фактор: DIMM, 288-pin;
особенности: комплект; оснащается радиатором;

Объём памяти: 64 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 64 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 21300 Мб/с
CAS Latency (CL): 16
RAS to CAS Delay (tRCD): 18
Row Precharge Delay (tRP): 18
Напряжение питания: 1.2 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:RGB

Объём памяти: 64 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 18
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-19-19

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:2666 МГц
Пропускная способность:21300 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:нет

Объем: 2х 32 ГБ;
Частота: 3600 МГц;
Латентность: CL18;
Тайминги: 18-22-22;
Форм-фактор: DIMM, 288-pin;
Особенности: комплект; оснащается радиатором;

Тип памяти:DDR5
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:5200 МГц
Пропускная способность:41600 Мб/с
Латентность:CL40
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20-40

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 260-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22-42

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20-40

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:нет