Intel

Назначение: внутренний
Тип: SSD
Форм-фактор: 2.5"
Объём накопителя: 240 Гб
Интерфейс: SATA-III
Скорость чтения: 470 МБ/сек
Скорость записи: 233 МБ/сек
Тип флэш-памяти: TLC

TBW, Тб 15300
Время наработки на отказ, ч. 2000000
Количество в упаковке 1
Объем накопителя SSD 3.84TB
Объем, м3 0.0002
Серия D3-S4520
Скорость записи, Мб/сек. 510
Скорость чтения, Мб/сек. 550
Тип флэш-памяти TLC
Толщина диска 7 мм
Форм-фактор 2, 5"
Вес, г 90

Назначение: внутренний
Тип: SSD
Форм-фактор: 2.5"
Объём накопителя: 240 Гб
Интерфейс: SATA-III
Скорость чтения: 470 МБ/сек
Скорость записи: 233 МБ/сек
Тип флэш-памяти: TLC

Форм-фактор SSD:2.5"
Тип памяти:3D NAND TLC
Объем SSD:960 Гб
Интерфейс:SATA
Скорость чтения до:550 Мб/с
Скорость записи до:540 Мб/с

Частота: 1.7 ГГц,
Сокет: LGA 3647;
Число ядер: 6, потоков 6,
Тепловыделение: 85 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Socket: LGA 3647
Количество ядер: 6
Тактовая частота: 1900 МГц
Ядро: Skylake-SP
Объём кэша L2: 1 Мб
Объём кэша L3: 8.25 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 85 Вт

частота: 1.9 ГГц, в режиме Turbo 1.9 ГГц,
сокет: LGA 3647;
число ядер: 8, потоков 8,
тепловыделение: 85 Вт;
технологический процесс: 14 нм;

Socket: LGA 1151v2
Количество ядер: 4
Тактовая частота: 3400 МГц
Ядро: Coffee Lake-ER
Объём кэша L2: 1 Мб
Объём кэша L3: 8 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 71 Вт

Socket: LGA 1151v2
Количество ядер: 4
Тактовая частота: 3500 МГц
Ядро: Coffee Lake-ER
Объём кэша L2: 1 Мб
Объём кэша L3: 8 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 71 Вт

Частота: 3.6 ГГц, в режиме Turbo 4.8 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 8,
Тепловыделение: 71 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1151-v2
Ядро:Coffee Lake-ER
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:4 ядра
Количество потоков:8 потоков

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

частота: 2.8 ГГц, в режиме Turbo 5.1 ГГц,
сокет: FCLGA1200;
число ядер: 8, потоков 16,
тепловыделение: 80 Вт;
технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:8 ядер
Количество потоков:16 потоков

Частота: 3.0 ГГц, в режиме Turbo 3.5 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 4,
Тепловыделение: 72 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Частота: 3.5 ГГц, в режиме Turbo 3.9 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 8,
Тепловыделение: 72 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E3 v6
Тип разъема (Socket):LGA1151
Ядро:Kaby Lake-S
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:4 ядра
Количество потоков:8 потоков